主讲人：赵泽夫

开始时间：2023-11-10 14:30:00

地点：物信南楼祥联厅

报告人简介：赵泽夫，台湾大学博士生，博士候选人，致力于先进FE存储元件，GAA逻辑元件与高性能电容元件开发的研究工作。研究成果发表以第一作者发表在IEEE VLSI 2023 国际顶会，IEEE EDL/TED国际期刊. 荣获台湾未来科技奖，台湾大学1 975 级电机系系友科技研究创新奖和2023 VLSI TSA Best Student Paper Award。

报告内容简介：氧化鉿鋯(HZO) 作为先进铁电/反铁电材料，可以基于其铁电特性应用在FeFET，FeRAM，FTJ等存储元件，也可以基于其high-k特性应用在MIM电容，逻辑元件之high-k metal gate等场景。随着制程的微缩，半导体代工大厂如台积电/三星已经宣布，下一代先进逻辑器件将从FinFET改进为GAA FET，存储芯片大厂micron于今年2023 IEDM发表FeDRAM，IDM大厂英特尔在10nm发布superMIM电容，新结构新材料新制程将不断推进半导体领域的发展。本次报告将会分享氧化鉿鋯在GAAFET逻辑元件，FeFET与MFM存储元件，MIM电容元件的应用。