主讲人：张洪良

开始时间：2023-10-28 14:00

地点：物信南楼祥联厅

报告人简介：

张洪良，厦门大学化学化工学院教授，国家高层次“青年”人才。2012年获得牛津大学无机化学博士学位，2008年获得新加坡国立大学硕士学位，2003年获得山东大学学士学位。2012-2017年先后在美国西北太平洋国家实验室和剑桥大学从事博士后工作。研究方向为（1）宽禁带氧化物半导体薄膜外延、能带调控及光电探测器件；（2）过渡金属氧化物薄膜电子结构与光、电、磁、催化性能构效关系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等发表论文150余篇，申请专利11项。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金委面上基金、企业合作研发等项目8项。曾获剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship、台湾积体电路制造公司（TMSC）最佳国际研究生科研奖。

报告内容简介：

氧化镓（Ga₂O₃）具有4.85 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV、氮化镓（GaN）的3.39 eV，在功率电子器件、深紫外探测等应用领域受到各国科研和产业界的强烈关注。氧化镓半导体器件产业链包括单晶衬底、外延薄膜、器件制作等多个环节。其中，单晶和外延薄膜是材料基础，其品质直接决定器件的性能。本报告将简要介绍氧化镓半导体材料的发展现状，然后重点介绍氧化镓外延薄膜表界面电子结构，掺杂与缺陷机制以及氧化镓基日盲光电探测器等方面的研究进展。