主讲人：牛智川 研究员

地点：祥联厅

开始时间：2023年03月28日 09:00

报告人简介：牛智川 中国科学院半导体研究所，研究员，博导。获中科院半导体所理学博士学位，90年代曾在德国、美国留学和工作。中科院“百人计划”、“国家杰青”、“新世纪百千万人才工程国家级人选首批”、“国务院政府特殊津贴”；担任中科院半导体所锑化物半导体研究中心主任，国科大材料学院量子光电子学首席教授。研究领域：新型半导体低维材料物理与外延技术、光电子与量子器件制备。承担国家重大科研任务，担任国家重点研发计划量子调控专项首席科学家，国家自然科学基金重大项目主持人，国家重大科学研究计划纳米专项首席科学家，国家基础加强计划项目首席科学家等。在半导体量子点高速全同单光子量子光源器件、光通信波段量子点激光器、锑化物半导体材料与红外光电器件方向获得多项重要成果和转化应用。在Nature及其子刊、Light、Adv. Materials, Phys. Rev. Lett., Nano Lett., Nanoscale, Appl. Phys. Lett.等发表SCI论文300余篇，研究成果多次被III-Vs Review，Compound Semiconductor，Technique Insights, Laser Focus World等专题报道。曾获北京市自然科学技术二等奖、中国电子学会自然科学一等奖，湖北省科技进步一等奖等。

报告内容简介： 锑化物半导体通常是指GaSb基6.1族InAs、GaSb、AlSb异质结材料体系，利用其晶格匹配特性，易于实现量子阱和超晶格等异质结能带结构的灵活设计和外延生长，获得覆盖近红外到甚长波红外波段的光电材料和多功能器件，其不仅具有优越的光电效率、室温超高电子迁移率等优良性能，而且具有与现有先进工艺兼容可量产制造的发展前景。锑化物半导体历经多年发展，目前已经成长为国际上高性能中短波单模和大功率红外激光器、多波段及甚长波红外探测器技术的变革性发展方向，呈现重大应用价值。本报告从锑化物半导体低维结构基本物性出发，重点介绍了锑化物复杂多元化合物微纳结构材料的分子束外延生长技术的最新突破，以及锑化物量子阱激光器、超晶格探测器等核心器件的研究成果，并讨论了围绕锑化物半导体研发下一代先进红外光电器件全链条技术设想。